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办传（E）对照组和PPP改进PSCs的J-V曲线。为提高Rsh值，达电应尽可能减小载流子复合引起的漏电流。

【小结】综上所述，改会改任作者设计了一种3D星形多功能PPP聚合物来修饰用于倒置PSCs器件的钙钛矿薄膜。议精很少有研究者通过具有多个分支和每个分支上有多个官能团的三维（3D）聚合物直接钝化钙钛矿薄膜。作者还使用了一个修正的细致平衡模型来确认，神扎实推相对于其S-Q极限（0.904），神扎实推PPP修正器件中FF（0.862）的损失主要是由缺陷诱导的复合引起的，而不是由Rs和Rsh引起。

因此，进电在钙钛矿型薄膜中引入星形多功能分子，极大地提高了其性能，特别是在倒置PSCs结构中的性能，为这些太阳能电池的实际应用开辟了新的方向。（C）在0.91和0.97V下，落地对照组和PPP改进器件的光电流和SPO。

福建（C）1/C2与控制和PPP改进PSCs中施加的电压图（Mott-Schottky）。

在PPP聚合物分支上，办传有多个化学锚定位点，办传包括羰基（C=O）和-CF3，它们作为3D骨架模板钝化晶界和界面表面的缺陷，抑制非辐射复合和电荷输运损失，并改善在水分、热，光照应力。（f）共晶Al-Co-Cr-Fe-Ni合金的总伸长率与极限抗拉强度的Ashby图，达电克服了强度-延展性的权衡。

改会改任（e）用于在遗传编程中生成新公式的可能交叉和变异步骤的示例。议精（e）具有Nb-Mo-Ta-W光谱邻域分析潜力的分子动力学模拟。

在过去的20年里，神扎实推生成的数据量急剧增加，ML提供了提取信息的基本工具：帮助对材料进行推断的软件是很常见且免费的。材料表示法是对材料的数学描述，进电可以是对晶体结构的直接描述，也可以是一种较为宽泛和间接的描述，而忽略了许多细节。